MPCVD設(shè)備

所屬分類(lèi)：

第四代半導(dǎo)體工藝設(shè)備

概要：

? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜

關(guān)鍵詞：

MPCVD

MPCVD設(shè)備

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

♦ 本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石?？杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán)，從而確保單晶生長(zhǎng)的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。

The equipment is mainly used forthe preparation of single crystal diamond.It can excite the plasma cluster with high stability, thus ensuring the continuity of single crystal growth and providing a strong guarantee for the synthesis of large-size single crystal diamond.

技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：

測(cè)溫: 300-1500°C

Temperature measurement: 300-1500°C

極限真空：

≤10Pa Limit vacuum:≤10Pa

氣路系統(tǒng): 6路

Gas path system: 6 channels

壓力范圍: 5-300Torr

Pressure range: 5-300Torr

微波功率: 0.5-15Kw連續(xù)可調(diào)

Microwave power: 0.5-15Kw continuously adjustable

功率穩(wěn)定性: <2%