liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網(wǎng)站首頁
關于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
合作伙伴
工程團隊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
產品分類
氧化/擴散/退火
立式爐
SiC高溫氧化爐
SiC高溫退火爐
臥式爐
CVD設備
SiC單晶生長設備
GaN單晶生長設備
Ga2O3單晶生長及外延設備
金剛石單晶生長設備
GaAs / InP 單晶生長設備
聯(lián)系方式
地址:濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導體產業(yè)園
電話:15562450816
郵箱:liguan1218@163.com
LPCVD立式爐
半導體集成電路制造的重要設備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS;立式LPCVD采用鐘罩式結構,設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件,具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點。
LPCVD臥式爐
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。
在線留言
擴散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設備
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網(wǎng)站建設:中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站