山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(zhǎng)(無(wú)銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開始通過(guò)預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過(guò)緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長(zhǎng)。

HVPE外延爐——立式

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長(zhǎng)。

導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(zhǎng),將原料放在留有狹縫的模具中,熔液借虹吸作 用上升到模具頂部,受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。

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