MPCVD設(shè)備

所屬分類：

第三代半導(dǎo)體工藝設(shè)備

概要：

? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜

關(guān)鍵詞：

MPCVD

MPCVD設(shè)備

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

♦ 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜

Microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD), which increases the reaction rate of precur-sors and reduces the reaction temperature by plasma. It is suitable for preparing diamond single crystal and polycrystalline films with large area, good uniformity, high purity and good crystal morphology

技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：

測(cè)溫: 300-1500°C

Temperature measurement: 300-1500°C

極限真空: 5*10E-4Pa

Limit vacuum: 5*10E-4Pa

氣路系統(tǒng): 6路

Gas path system: 6 channels

壓力范圍: 5-300Torr

Pressure range: 5-300Torr

微波功率: 0.5-15Kw連續(xù)可調(diào)

Microwave power: 0.5-15Kw continuously adjustable

功率穩(wěn)定性: <2%