液相法SiC長(zhǎng)晶爐設(shè)備

所屬分類(lèi)：

晶體設(shè)備

概要：

?液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。

關(guān)鍵詞：

晶體提拉

液相法SiC長(zhǎng)晶爐設(shè)備

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

♦ 液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。

LPE method enables the growth of SiC single crystals below much lower temperatures (<2000°C), which theoretically makes it easier to obtain high-quality single crystals. The temperature gradient is utilized as a growth driver to achieve crystal growth.

產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：

♦ 晶體尺寸:6/8英寸

Crystal size: 6/8 inches

♦ 溫度范圍：溫度1500-2100℃

Temperature range: 1500-2100 ℃

♦ 真空度:1*10-3pa

Vacuum Pressure: 1 * 10-3pa

♦ 提拉/坩堝桿：升降0.2-400mm/h，旋轉(zhuǎn)0.5-50rpm

Lift/crucible lever: lift rate 0.2-400mm/h, rotation rate 0.5-50rpm

♦ 稱重：6kg 精度：0.01g

Weighing: 6kg, accuracy 0.01g

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