產(chǎn)品展示
產(chǎn)品分類
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長(zhǎng)。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成，能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)的精確控制。
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備是將SiC籽晶通過有機(jī)膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高 品質(zhì)SiC晶體生長(zhǎng)的首要前提。
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。