山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


產(chǎn)品分類

暫無數(shù)據(jù)

暫無數(shù)據(jù)

聯(lián)系方式


地址:濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園

電話:15562450816

郵箱:liguan1218@163.com

SiC籽晶粘接設(shè)備

本設(shè)備是將SiC籽晶通過有機(jī)膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高 品質(zhì)SiC晶體生長的首要前提。

PVT法長晶爐——電阻爐

本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。

PVT法長晶爐——感應(yīng)爐

本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長。

液相法長晶爐

液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實現(xiàn)SiC單晶的生長,理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實現(xiàn)晶體的生長。

< 1 > 前往